Research paper
TheoreticalComputed Raman| Type | Label | Value | Material | Sample | Condition | Source |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 5.5nm | — | |||
| Model Parameter | α | 387meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -480meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -306meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | 9meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.8meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 6.1nm | — | |||
| Model Parameter | α | 378meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -553meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -378meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -0.15meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.7meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 7nm | — | |||
| Model Parameter | α | 365meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -686meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -512meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -10meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.6meV | — | |||
| Critical Thickness | critical thickness λc | 6.17nm | — | |||
| Band Inversion Thickness | band inversion thickness λinv | 6.173nm | — | |||
| Band Inversion Field | Binv | 9.6T | — |
| Type | Label | Value | Material | Sample | Condition | Source |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 5.5nm | — | |||
| Model Parameter | α | 387meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -480meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -306meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | 9meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.8meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 6.1nm | — | |||
| Model Parameter | α | 378meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -553meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -378meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -0.15meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.7meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 7nm | — | |||
| Model Parameter | α | 365meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -686meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -512meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -10meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.6meV | — | |||
| Critical Thickness | critical thickness λc | 6.17nm | — | |||
| Band Inversion Thickness | band inversion thickness λinv | 6.173nm | — | |||
| Band Inversion Field | Binv | 9.6T | — |
| Type | Label | Value | Material | Sample | Condition | Source |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 5.5nm | — | |||
| Model Parameter | α | 387meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -480meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -306meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | 9meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.8meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 6.1nm | — | |||
| Model Parameter | α | 378meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -553meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -378meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -0.15meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.7meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 7nm | — | |||
| Model Parameter | α | 365meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -686meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -512meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -10meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.6meV | — | |||
| Critical Thickness | critical thickness λc | 6.17nm | — | |||
| Band Inversion Thickness | band inversion thickness λinv | 6.173nm | — | |||
| Band Inversion Field | Binv | 9.6T | — |
| Type | Label | Value | Material | Sample | Condition | Source |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 5.5nm | — | |||
| Model Parameter | α | 387meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -480meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -306meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | 9meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.8meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 6.1nm | — | |||
| Model Parameter | α | 378meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -553meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -378meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -0.15meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.7meV | — | |||
| Model Parameter | HgTe layer thickness λ | 7nm | — | |||
| Model Parameter | α | 365meV.nm | — | |||
| Model Parameter | β | -686meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | δ | -512meV.nm2 | — | |||
| Model Parameter | µ | -10meV | — | |||
| Model Parameter | ∆ | 1.6meV | — | |||
| Critical Thickness | critical thickness λc | 6.17nm | — | |||
| Band Inversion Thickness | band inversion thickness λinv | 6.173nm | — | |||
| Band Inversion Field | Binv | 9.6T | — |